Томский институт сильноточной электроники СО РАН получил грант в 305 млн рублей

Томский институт сильноточной электроники СО РАН получил федеральный грант в размере 305 млн рублей. Средства предоставил по федеральной научно-технической программе для проекта синхротронных исследований многослойных функциональных, созданных пучково-плазменной инженерией поверхности. Теперь в течение трех лет ученым предстоит заниматься синхротронными и нейтронными исследованиями.

Участие в реализации проекта под руководством академика Николая Ратахина принимают Институт ядерной физики СО РАН, Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томский научный центр СО РАН, ТПУ, ТГУ и ТУСУР, Институт электрофизики УрО РАН, Уфимский государственный авиационный технический университет и "Технопарк-АТ". Вместе они будут разрабатывать совершенные методики исследования поверхностных слоев и покрытий с использованием синхротронного излучения, передовые технологии создания новых конструкционных материалов. Результатами проекта уже заинтересовались около 10 крупных и средних предприятий.

В будущем разработки томских ученых позволят снизить до года время подготовки и внедрения материалов, способных выдержать экстремальные условия. Это пригодится для судостроения, авиакосмической и нефтегазовой отраслей. Сейчас же этот срок составляет до десяти лет.

- С применением синхротронного и нейтронного излучений связывают будущие прорывы в целом ряде областей, в том числе в борьбе с распространением биологических угроз, что чрезвычайно важно в ситуации пандемии, — пояснил заведующий лабораторией пучково-плазменной инженерии поверхности ИСЭ СО РАН Владимир Денисов. Об этом сообщили в пресс-службе администрации Томской области.