Деньги на установку для производства жидкого азота, необходимого для создания новых полупроводниковых материалов, получит Новосибирский Институт физики полупроводников (ИФП) СО РАН им. А. В. Ржанова.
Размер субсидии выделенной Институту из федерального бюджета на обновление приборной базы по нацпроекту "Наука и университеты" в этом году составил 113,5 млн рублей, установка для производства жидкого азота станет самой масштабной закупкой среди высокотехнологичного оборудования.
Жидкий азот используется при создании полупроводниковых структур методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Полупроводниковые структуры выращивают, контролируя их состав на уровне отдельных атомов. По словам заместителя директора по научной работе ИФП СО РАН Александра Милехина, установка позволит полностью покрыть потребности института в азоте.
Для обновления кремниевой "линейки" и создания полупроводниковых материалов на основе кремния будет закуплена установка термической обработки полупроводниковых пластин (при проведении технологических процессов диффузии, окисления и отжига в потоке рабочих газов).
Среди планируемого к закупке оборудования — атомно-силовой и сканирующий электронный микроскопы: первый позволяет точно определять высоту рельефа наноструктуры, а второй - измерять длину, ширину, расстояние между отдельными элементами наноструктуры. Половина закупаемого оборудования — отечественного производства.