Десять институтов СО РАН представят свои разработки на выставке «Роснанотех-2010»

Десять академических институтов из Новосибирского, Томского и Иркутского научных центров СО РАН представят свои разработки на выставке «Роснанотех-2010», которая состоится в рамках Третьего международного форума по нанотехнологиям. Форум пройдет в Москве 1-3 ноября. Как сообщили в Центре общественных связей Сибирского отделения Российской академии наук (СО РАН), другие участники и посетители форума смогут познакомиться с достижениями сибирских ученых в области нанотехнологий, которые могут применяться в самых разных отраслях.

Так, Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича в числе экспонатов выставки представляет методы использования наноразмерных добавок в микро- и макрометаллургических процессах. Как пояснил заведующий лабораторией термомеханики новых материалов и технологий доктор физико-математических наук Анатолий Николаевич Черепанов, «Модификаторы - специально подготовленные добавки, содержащие тугоплавкие соединения - в небольшом количестве и в мелкодисперсном состоянии вводятся в расплав металлов, структура которых при этом получается более однородной и мелкозернистой. Это позволяет повысить механические свойства – коррозионную стойкость, пластичность, прочность и жаропрочность, а также износостойкость. Кроме того, такие добавки могут быть использованы при сварке – в частности, сейчас мы пытаемся создать технологию сварки лазером, применяя нанопорошки».

Помимо этой разработки, ИТПМ СО РАН представит методы производства самих порошков через испарение исходных материалов, а также возможности технологии холодного газодинамического напыления.

В числе экспонатов Института физики полупроводников СО РАН им. А.В. Ржанова – оборудование для проведения молекулярно-лучевой эпитаксии (эпитаксия – это процесс наращивания монокристаллических слоев вещества на подложку, при этом кристаллографическая ориентация наращиваемого слоя повторяет кристаллографическую ориентацию подложки) в космосе. Установка предназначена для наземной имитации технологической зоны в космическом пространстве, а также для проверки работоспособности, проведения испытаний и настройки различных элементов процесса получения многослойных полупроводниковых наноструктур в условиях полёта орбитальной станции.

Кроме того, ИФП СО РАН представит медицинский тепловизор и КНИ-нанотранзистор, который называют «основой элементной базы вычислительной техники XXI века». Он обладает повышенным быстродействием, пониженными мощностями потребления, работает при температуре до +300-350 градусов по Цельсию, а также иммунен к сбоям памяти при радиационных воздействиях.

Институт ядерной физики СО РАН им. Г.И. Будкера представляет совместный с Институтом химии твердого тела и механохимии проект, посвященный получению наноразмерных порошков висмута и его соединений для техники, микроэлектроники и медицины. В частности, одно из таких применений было озвучено на прошедшей в сентябре 2010 года конференции «Фундаментальные науки – медицине»: частицы висмута входят в препарат «Де-Нол», обеспечивая гастропротекторные и бактерицидные свойства.

В числе разработок Института физики прочности и материаловедения СО РАН (г.Томск) - фильтры AquaVallis для эффективной и надежной очистки воды от микробиологических загрязнений. Действие этих фильтров основано на новом электроположительном материале из нановолокон, который позволяет удалить из воды вирусы и бактерии, при этом сохраняя ее натуральную минерализацию.

Помимо перечисленных, на коллективной экспозиции СО РАН будут представлены разработки Института катализа им. Г.К. Борескова (углеродные материалы, полимерные гидрогели), Институт химической кинетики и горения (технология синтеза нанокристаллических пленок оксида титана при помощи пламени).

Иркутский институт химии им. А.Е. Фаворского продемонстрирует нанокомпозиции с определенными свойствами на основе возобновляемого сырья Сибири, а Институт химии нефти (Томский научный центр СО РАН) – способы использования нанотехнологий в добыче и переработке нефти.

В Центре общественных связей СО РАН также рассказали, что во время Форума будут действовать многочисленные научные секции, в работе которых примут участие Председатель СО РАН, директор Института физики полупроводников СО РАН им. А.В. Ржанова академик Александр Леонидович Асеев, директор Института катализа СО РАН им. Г.К. Борескова академик Валентин Николаевич Пармон, директор Института лазерной физики СО РАН академик Сергей Николаевич Багаев, заместитель директора ИФП СО РАН член-корреспондент Анатолий Васильевич Двуреченский, заведующий лабораторией этого же института доктор физико-математических наук Виктор Яковлевич Принц.

С докладами выступят специалисты из разных академических институтов Сибирского отделения, а в числе участников Третьего Международного конкурса научных работ молодых ученых в области нанотехнологий – 14 представителей СО РАН.

"Байкал24"



РСХБ
Авторские экскурсии
ТГ